The Silicon:Colloidal Quantum Dot Heterojunction.
نویسندگان
چکیده
A heterojunction between crystalline silicon and colloidal quantum dots (CQDs) is realized. A special interface modification is developed to overcome an inherent energetic band mismatch between the two semiconductors, and realize the efficient collection of infrared photocarriers generated in the CQD film. This junction is used to produce a sensitive near infrared photodetector.
منابع مشابه
Analysis of Kirk Effect in Nanoscale Quantum Well Heterojunction Bipolar Transistor Laser
In this paper, we present an analytical model to analysis the kirk effect onstatic and dynamic responses of quantum well heterojunction bipolar transistor lasers(HBTLs). Our analysis is based on solving the kirk current equation, continuityequation and rate equations of HBTL. We compare the performance (current gain,output photon number and small signal modulation bandwi...
متن کاملبررسی عوامل افزایش بازده در سلول خورشیدی ناهمجنس با نقاط کوانتومی
ضخامت لایۀ نقاط کوانتومی و نیمهرسانای شفاف با شکاف بزرگ، میزان ناخالصی لایۀ نقاط کوانتومیو نوع فلز آند از جمله عوامل تأثیرگذار بر بازدهِ سلولهای خورشیدی نقطۀ کوانتومی ناهمجنس (HQDSC) میباشند. در این مقاله با استفاده از نرمافزار کامسول نسخه 4/5، ابتدا سلولی شامل یک لایه از نقاط کوانتومی سولفید سرب (PbS) پوشیده از لیگاندهای کوتاه و یک لایه نیمهرسانای اکسید روی (ZnO) و آندی از جنس طلا شبیهسا...
متن کاملLateral heterojunction photodetector consisting of molecular organic and colloidal quantum dot thin films
Citation Osedach, Tim P. et al. " Lateral heterojunction photodetector consisting of molecular organic and colloidal quantum dot thin films. Article is made available in accordance with the publisher's policy and may be subject to US copyright law. Please refer to the publisher's site for terms of use. The MIT Faculty has made this article openly available. Please share how this access benefits...
متن کاملQuantum dot defined in a two-dimensional electron gas at a n-AlGaAs ÕGaAs heterojunction: Simulation of electrostatic potential and charging properties
We present a self-consistent Schrödinger–Poisson scheme for simulation of electrostatic quantum dots defined in gated two-dimensional electron gas formed at n-AlGaAs /GaAs heterojunction. The computational method is applied to a quantitative description of transport properties studied experimentally by Elzermann et al. Appl. Phys. Lett. 84, 4617 2004 . Our three-dimensional model describes the ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید
ثبت ناماگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید
ورودعنوان ژورنال:
- Advanced materials
دوره 27 45 شماره
صفحات -
تاریخ انتشار 2015